| 发明名称 | 薄膜晶体管、其制造方法和有机发光二极管显示器装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的有机发光二极管显示器装置。所述薄膜晶体管包括：基板；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，包括在所述缓冲层上的源/漏区和沟道区；栅绝缘层，对应于所述沟道区；栅极，对应于所述沟道区；和源/漏极，与所述半导体层电连接。所述沟道区的多晶硅层可仅包括小角度晶界，且大角度晶界可布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中。 | ||
| 申请公布号 | CN102064197A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN201010287308.0 | 申请日期 | 2010.09.16 |
| 申请人 | 三星移动显示器株式会社 | 发明人 | 孙榕德;李基龙;崔埈厚;郑珉在;朴承圭;李吉远;郑在琓;李东炫;苏炳洙;具贤祐;伊凡·马伊达楚克;洪钟元;罗兴烈;张锡洛 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 陈万青;王珍仙 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：基板；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，包括在所述缓冲层上的源/漏区和沟道区，所述沟道区包括多晶硅层；栅绝缘层，对应于所述沟道区；栅极，对应于所述沟道区；和源/漏极，与所述半导体层电连接，其中所述沟道区的所述多晶硅层仅包括小角度晶界，而大角度晶界布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||