用于变换器面板的光伏电池的大规模制造方法以及光伏变换器面板

摘要

为了改进光伏电池和相应变换器面板的大规模工业制造，在具有本征硅化合物的微晶层（2）的光伏电池中，掺杂硅材料的相邻层（3，1）中的至少一个被设计为非晶层。

主权项

一种用于表面范围为至少2500 cm2的光伏变换器面板的光伏电池的大规模工业制造方法，包括：通过真空沉积工艺来沉积基本上为第一类型掺杂半导体材料的第一层；通过真空沉积工艺来沉积基本上为第二类型掺杂半导体材料的第三层；以及在第一层和第三层之间通过真空沉积工艺在含有至少一种反应气体的气氛中沉积基本上为硅化合物的中性掺杂或未掺杂微晶层作为第二层，其中沉积所述第一层和沉积所述第三层中的至少一个包括沉积分别掺杂半导体材料的非晶层。