| 发明名称 | 氮化物半导体部件及其制造工艺 | ||
| 摘要 | 本发明涉及氮化物半导体部件及其制造工艺。一种用于在硅表面上制造氮化物半导体部件的层结构的工艺包括步骤：提供具有硅表面的衬底；其中所述提供衬底的步骤包括提供厚度至少为DGaN×x的硅衬底，其中，DGaN表示要在所述衬底上淀积的氮化物半导体层的层厚度，或者如果将要淀积多于一个氮化物半导体层，其表示将要在所述衬底上淀积的氮化物半导体层的层厚度以及所存在的氮化物中间层的层厚度之和，并且其中，在采用掺杂硅衬底的情况下，x是110，在采用未掺杂衬底的情况下，x是200。 | ||
| 申请公布号 | CN102064091A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN201010514762.5 | 申请日期 | 2007.02.22 |
| 申请人 | 阿祖罗半导体股份公司 | 发明人 | 阿明·戴德加;阿洛伊斯·克罗斯特 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L29/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 李昕巍 |
| 主权项 | 一种用于在硅表面上制造氮化物半导体部件的层结构的工艺，包括步骤：‑提供具有硅表面的衬底；‑其中所述提供衬底的步骤包括提供厚度至少为DGaN×x的硅衬底，其中，DGaN表示要在所述衬底上淀积的氮化物半导体层的层厚度，或者如果将要淀积多于一个氮化物半导体层，其表示将要在所述衬底上淀积的氮化物半导体层的层厚度以及所存在的氮化物中间层的层厚度之和，并且其中，在采用掺杂硅衬底的情况下，x是110，在采用未掺杂衬底的情况下，x是200。 | ||
| 地址 | 德国马格德堡 | ||