发明名称 |
一种高温超导延迟线 |
摘要 |
本实用新型涉及一种高温超导延迟线,该延迟线由高温超导延迟线芯片、高温超导延迟线盒体,输入SMA接头和输出SMA接头组成;所述高温超导延迟线芯片置于高温超导延迟线盒体内,其输入、输出接口分别与输入SMA接头和输出SMA接头相连;所述高温超导延迟线芯片采用铝酸镧(LaALO3)作为基片,在基片两面溅射上高温超导薄膜,在高温超导薄膜上原位溅射有金膜;其中一面的高温超导薄膜和金膜全部保留,作为接地面,另一面为高温超导共面线,高温超导共面线由高温超导导带和与之相连的高温超导曲折线及高温超导共地面构成。本实用新型具有工作频率高、带宽宽、插损小、弱色散等特性。 |
申请公布号 |
CN201838703U |
申请公布日期 |
2011.05.18 |
申请号 |
CN200920292251.6 |
申请日期 |
2009.12.16 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第十六研究所 |
发明人 |
杨时红;王生旺;胡来平;左涛;吴志华 |
分类号 |
H01P9/00(2006.01)I;H01L39/12(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01P9/00(2006.01)I |
代理机构 |
合肥天明专利事务所 34115 |
代理人 |
奚华保 |
主权项 |
一种高温超导延迟线,其特征在于该延迟线由高温超导延迟线芯片(4)、高温超导延迟线盒体(3),输入SMA接头(1)和输出SMA接头(2)组成;所述高温超导延迟线芯片(4)置于高温超导延迟线盒体(3)内,其输入、输出接口分别与输入SMA接头(1)和输出SMA接头(2)相连;所述高温超导延迟线芯片(4)采用铝酸镧作为基片,在基片两面溅射上高温超导薄膜,在高温超导薄膜上原位溅射有金膜;其中一面的高温超导薄膜和金膜全部保留,作为接地面,另一面为高温超导共面线,高温超导共面线由高温超导导带(6)和与之相连的高温超导曲折线(7)及高温超导共地面(5)构成。 |
地址 |
230043 安徽省合肥市濉溪路439号 |