发明名称 |
半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
在夹在一对第一抗冲击层和第二抗冲击层之间的半导体集成电路中,冲击扩散层在该半导体集成电路和该第二抗冲击层之间。通过提供抵御外部应力的该抗冲击层和用于扩散冲击的该冲击扩散层,减小了施加于该半导体集成电路每单位面积的力,使得保护了该半导体集成电路。该冲击扩散层优选地具有低弹性模量和高断裂模量。 |
申请公布号 |
CN102067281A |
申请公布日期 |
2011.05.18 |
申请号 |
CN200980124649.1 |
申请日期 |
2009.04.15 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
江口晋吾 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;B42D15/10(2006.01)I;G06K19/07(2006.01)I;G06K19/077(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
朱海煜;王忠忠 |
主权项 |
一种半导体器件,其包括:在第一层和第二层之间的半导体集成电路;以及在所述半导体集成电路和所述第一层之间的第一有机层,其中所述第一层包括纤维体和有机树脂,其中所述第二层包括纤维体和有机树脂,以及其中所述第一有机层具有比所述第一层和所述第二层更低的弹性模量和更高的断裂强度。 |
地址 |
日本神奈川县 |