| 发明名称 | 氮游离基产生器、氮化处理装置、氮游离基的产生方法、以及氮化处理方法 | ||
| 摘要 | 本氮游离基产生器(100)包括：多晶硅层(103)，该多晶硅层(103)包含具有一个主面(104m)的纳米硅层(104)；硅基板电极(102)，该硅基板电极(102)形成于多晶硅层(103)的另一个主面(103n)上；表面电极(105)，该表面电极(105)形成于纳米硅层(104)的一个主面(104m)上；第一腔室(101)，该第一腔室(101)对上述这些元器件进行容纳；第一电源(109)，该第一电源(109)对表面电极(105)施加正的电压V1；气体流入口(107)，该气体流入口(107)使氮气流入第一腔室(101)内；氮游离基产生空间(140)，该氮游离基产生空间(140)使施加上述正电压V1时从纳米硅层(104)的一个主面(104m)所发射的电子与氮气相接触而产生氮游离基；以及游离基流出口(108)，该游离基流出口(108)使氮游离基从第一腔室(101)流出。据此，提供一种能产生氮游离基而不产生等离子体、并能因结构简单而小型化的氮游离基产生器。 | ||
| 申请公布号 | CN102067291A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN200880130098.5 | 申请日期 | 2008.06.24 |
| 申请人 | 东芝三菱电机产业系统株式会社 | 发明人 | 渡边谦资;山田义人 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 张鑫 |
| 主权项 | 一种氮游离基产生器，其特征在于，包括：多晶硅层(103)，该多晶硅层(103)包含具有一个主面(104m)的纳米硅层(104)；硅基板电极(102)，该硅基板电极(102)形成于所述多晶硅层(103)的另一个主面(103n)上；表面电极(105)，该表面电极(105)形成于所述纳米硅层(104)的所述一个主面(104m)上；第一腔室(101)，该第一腔室(101)用于容纳所述多晶硅层(103)、所述硅基板电极(102)、以及所述表面电极(105)；第一电源(109)，该第一电源(109)对所述表面电极(105)施加相对于所述硅基板电极(102)为正的电压；气体流入口(107)，该气体流入口(107)使氮气流入所述第一腔室(101)内；氮游离基产生空间(140)，该氮游离基产生空间(140)使施加所述正电压时从所述纳米硅层(104)的所述一个主面(104m)所发射的电子与氮气相接触以产生氮游离基；以及游离基流出口(108)，该游离基流出口(108)使所述氮游离基从所述第一腔室(101)流出。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||