发明名称 |
偏压溅射装置 |
摘要 |
本发明提供一种能减少附着在成膜面上的异物的发生率、具有自转公转机构的偏压溅射装置。在具备具有自转公转机构的基板支架(12)的偏压溅射装置(1)中,基板支架(12)由公转部件(21)和自转部件(23)构成,在安装于自转部件(23)上的各个基板(14)的背面侧,与基板(14)隔开0.5~10mm的位置处,设置有与基板(14)同等尺寸的圆板状基板电极(30)。 |
申请公布号 |
CN102066602A |
申请公布日期 |
2011.05.18 |
申请号 |
CN200980122366.3 |
申请日期 |
2009.06.16 |
申请人 |
株式会社新柯隆 |
发明人 |
菅原聡;枝并泰宏;高桥一树;熊川进;姜友松;塩野一郎;高坂佳弘 |
分类号 |
C23C14/34(2006.01)I;C23C14/50(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
李辉;黄纶伟 |
主权项 |
一种偏压溅射装置,该偏压溅射装置具备:基板支架,其具有自转公转机构,用于在真空容器内支承基板;基板电极,其设置在该基板支架侧;以及靶材,其与上述基板相对地配置,该偏压溅射装置对上述基板电极和上述靶材施加电力,在上述基板电极与上述靶材之间产生等离子体,在上述基板表面形成薄膜,该偏压溅射装置的特征在于,仅在支承在上述基板支架上的上述基板的各个背面侧,具备上述基板电极,上述基板电极与上述基板以隔开规定距离的方式配置。 |
地址 |
日本神奈川县 |