| 发明名称 | 光学临近效应修正方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体工业中的光刻技术，尤其涉及一种光学临近效应修正方法，包括：根据关键尺寸控制精度的不同，将一个版图划分为至少二个区域；对所述至少二个区域，分别按照其关键尺寸控制精度的要求进行光学临近效应修正，并且对关键尺寸控制精度相同的区域采用相同的修正精度。本发明的光学临近效应修正方法对于关键尺寸控制精度要求不同的区域，使用不同的修正精度进行修正，实现了修正精度的按需分配，既满足了光学临近效应修正的精度需求，又有效地缩短了光学临近效应修正系统的运行时间，提高了生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102063010A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN200910109606.8 | 申请日期 | 2009.11.13 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 王谨恒;黄旭鑫;张雷 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何平 |
| 主权项 | 一种光学临近效应修正方法，包括：根据关键尺寸控制精度的不同，将一个版图划分为至少二个区域；对所述至少二个区域，分别按照其关键尺寸控制精度的要求进行光学临近效应修正，并且对关键尺寸控制精度相同的区域采用相同的修正精度。 | ||
| 地址 | 214000 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||