发明名称 等离子体显示器面板的制造方法、成膜装置
摘要 使保护膜的膜质稳定化。在一边搬送成膜对象物一边使金属氧化物蒸发时,一边对真空槽导入氧、和与氧相比大量的水,一边以静态成膜速度为40nm/秒以上的方式使金属氧化物蒸发。测定使金属氧化物蒸发时的发光强度,将该测定结果对加热装置(电子枪41)的输出进行反馈。因为发光强度与(111)强度等的膜质直接相关,所以能够对结晶取向性、膜密度、光学特性等的膜质良好的保护膜稳定地进行成膜。
申请公布号 CN102067266A 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN200980122380.3 申请日期 2009.06.11
申请人 株式会社爱发科 发明人 饭岛荣一;箱守宗人;仓内利春;横山礼宽
分类号 H01J9/02(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;H01J11/02(2006.01)I 主分类号 H01J9/02(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 闫小龙;王忠忠
主权项 一种等离子体显示器面板的制造方法,一边将氧导入真空槽内,一边对在蒸发源配置的金属氧化物进行加热,使所述金属氧化物的蒸气产生,将在表面配置有电极的第一面板在所述真空槽内的搬送路径中搬送,使其通过与所述蒸发源面对的成膜位置,在所述电极上形成由金属氧化物的薄膜构成的保护膜之后,将所述第一面板与第二面板贴合,制造所述保护膜被暴露于等离子体的等离子体显示器面板,其中,在所述真空槽内,一边以每单位时间的导入体积与所述氧的每单位时间的导入体积相同或比其多的方式导入水,一边以所述第一面板在该成膜位置静止的情况下的所述保护膜的成膜速度变为40nm/秒以上的方式使所述金属氧化物蒸发,一边搬送所述第一面板。
地址 日本神奈川县