发明名称 多单元射频晶体管的射频参数模拟方法
摘要 本发明公开了一种多单元射频晶体管的射频参数模拟方法,设计多单元射频晶体管总结构中用于重复并联的各单个射频晶体管单元的版图结构,并对其进行射频测试,得到各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数;将多单元射频晶体管多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的版图文件调入电磁仿真软件,进行电磁仿真得到相互连线结构的射频参数;将所述多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的射频参数同所有各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数进行射频参数的叠加得到多单元射频晶体管总结构的射频参数。本发明的多单元射频晶体管的射频参数模拟方法,能降低进行射频参数模拟的人力资源,能灵活方便地模拟多单元射频晶体管的射频参数。
申请公布号 CN102063513A 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN200910201793.2 申请日期 2009.11.12
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 周天舒
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人 王江富
主权项 一种多单元射频晶体管的射频参数模拟方法,其特征在于,包括以下步骤:一.设计多单元射频晶体管总结构中用于重复并联的各单个射频晶体管单元的版图结构,并对各单个射频晶体管单元的版图结构进行射频测试,得到各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数;二.将多单元射频晶体管多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的版图文件调入电磁仿真软件,对多个射频晶体管单元之间的相互连线结构进行电磁仿真得到多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的射频参数;三.将所述多个射频晶体管单元之间的相互连线结构的射频参数同所有各单个射频晶体管单元的版图结构的射频参数进行射频参数的叠加得到多单元射频晶体管总结构的射频参数。
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号