| 发明名称 | 用于抛光半导体晶片的方法 | ||
| 摘要 | 用于抛光半导体晶片的方法，包括使用抛光垫对半导体晶片第一面进行FAP(固定研磨剂抛光)，所述抛光垫包括平均粒径为0.1～1.0μm的固定接合的研磨剂，向FAP抛光的半导体晶片第一面涂敷厚度至多为3μm的胶合层，通过FAP抛光的第一面将半导体晶片胶合在抛光机的载板上，并且还对半导体晶片的第二面进行单面化学机械抛光。 | ||
| 申请公布号 | CN102059640A | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN201010294189.1 | 申请日期 | 2010.09.21 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | J·施万德纳 |
| 分类号 | B24B29/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | B24B29/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 用于抛光具有第一面和第二面的半导体晶片的方法，其包括使用抛光垫对半导体晶片第一面进行FAP(固定研磨剂抛光)，所述抛光垫包括平均粒径为0.1～1.0μm的固定接合的研磨剂，向FAP抛光的半导体晶片第一面涂敷厚度至多为3μm的胶合层，随后通过包括胶合层的FAP抛光第一面将半导体晶片胶合在抛光机的载板上，并且还对半导体晶片的第二面进行单面化学机械抛光。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||