半导体被处理基板的真空处理系统及半导体被处理基板的真空处理方法

摘要

本发明提供将真空搬运室所具备的真空处理室的配置最佳化，且单位设置面积的被处理物的生产能力高的装置。一种半导体被处理基板的真空处理系统及使用该系统的真空处理方法，半导体被处理基板的真空处理系统具备：大气搬运室，其前面侧配置多个盒台，搬运设置于所述多个盒台内的一个上的盒内所收纳的晶片；锁定室，其配置于该大气搬运室的后方，在内部收纳从该大气搬运室搬运的所述晶片；第一真空搬运室，其与该锁定室的后方连结，从该锁定室搬运所述晶片；搬运中间室，其与所述第一真空搬运室的后方连结；第二真空搬运室，其与该搬运中间室的后方连结，从该搬运中间室搬运所述晶片；与所述第一真空搬运室的后方连结、处理从所述第一真空搬运室搬运的所述晶片的至少一个真空处理室；与所述第二真空搬运室的后方连结、处理从所述第二真空搬运室搬运的所述晶片的两个以上的真空处理室，与所述第一真空搬运室连结的真空处理室的数量比与所述第二真空搬运室连结的真空处理室的数量少，或者将与所述第一真空搬运室连结的真空处理室的使用限制为一个。

主权项

一种半导体被处理基板的真空处理系统，其特征在于，具备：大气搬运室，其前面侧配置多个盒台，搬运设置于所述多个盒台内的一个上的盒内所收纳的晶片；锁定室，其配置于该大气搬运室的后方，在内部收纳从该大气搬运室搬运的所述晶片；第一真空搬运室，其与该锁定室的后方连结，从该锁定室搬运所述晶片；搬运中间室，其与所述第一真空搬运室的后方连结；第二真空搬运室，其与该搬运中间室的后方连结，从该搬运中间室搬运所述晶片；与所述第一真空搬运室的后方连结、处理从所述第一真空搬运室搬运的所述晶片的至少一个真空处理室；与所述第二真空搬运室的后方连结、处理从所述第二真空搬运室搬运的所述晶片的两个以上的真空处理室，与所述第一真空搬运室连结的真空处理室的数量比与所述第二真空搬运室连结的真空处理室的数量少。