倒装功率LED管芯自由组合灯芯

摘要

本发明公开了一种倒装功率LED管芯自由组合灯芯，包括平板倒装焊GaN基LED管芯和导热基板，平板倒装焊GaN基LED管芯的P电极焊点外端制作有P焊板，N电极焊点外端制作有N焊板，其特征是：在一导热基板上光刻有制作组合灯芯所需的串并联的P电极区和N电极区；每一颗平板倒装焊GaN基LED管芯通过P焊板和N焊板共晶或合金焊接到导热基板的P电极区和N电极区。本发明通过金属焊盘平板化倒装芯片合金或共晶焊接基板，其基板上可用光刻腐蚀或剥离方式根据灯芯需要任意组合连接，芯片间连接按照需要在基板上光刻腐蚀或剥离制作通道，避免了打线连接的弊端，减少了管芯间集成打线连接的步骤，制作简单，同时提高了成品率。

主权项

一种倒装功率LED管芯自由组合灯芯，包括平板倒装焊GaN基LED管芯和导热基板，其特征是：平板倒装焊GaN基LED管芯的结构包括衬底，在衬底的下方自上至下依次设有N型GaN层、量子阱QW有源区、P型GaN层、电流扩展层和光反射层；光反射层上刻蚀有至N型GaN层的台阶面，在该台阶面的N型GaN层上制作有N电极，在光反射层上制作有P电极，N电极与P电极的外端处于同一水平面；在P电极焊盘和N电极焊盘所在面的除P电极焊盘和N电极焊盘以外的其它区域上镀有一层透明绝缘介质膜，P电极焊点外端制作有P焊板，N电极焊点外端制作有N焊板，在一导热基板上光刻有制作组合灯芯所需的串并联的P电极区和N电极区；每一颗平板倒装焊GaN基LED管芯通过P焊板和N焊板共晶或合金焊接到导热基板的P电极区和N电极区。