发明名称 |
多层电极结构 |
摘要 |
一种多层电极结构,包括两并联的电流路径。多个大致为平板状的电极层以堆叠方式形成,最外层提供电接点,并限定第一电流路径穿过此堆叠。两侧壁导体层形成而邻接于电极层堆叠的两个端点,两侧壁导体层定义了第二电流路径。侧壁导体层的端点与电极层导电接点位于同一平面,使得电极结构导电接点各自由一组侧壁层端点与电极层导电接点所形成。 |
申请公布号 |
CN101207180B |
申请公布日期 |
2011.05.18 |
申请号 |
CN200710199605.8 |
申请日期 |
2007.12.11 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
陈士弘 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;H01L43/02(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
王英 |
主权项 |
一种电极结构,包括:多个电极层,其形状为平板状并形成为堆叠,最外层提供导电接点,并限定第一电流路径通过所述堆叠;以及侧壁导体层,形成邻接所述电极层堆叠的两侧,所述两侧壁导体层限定第二电流路径,其中所述侧壁导体层的端点与所述电极层的导电接点位于同一平面,使得电极结构导电接点各自由一组侧壁导体层端点以及电极层导电接点所形成,其中所述电极结构在相邻的RRAM材料层之间提供电接触。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |