发明名称 电解质晶体管及其制造方法
摘要 一种电解质晶体管,其包括栅极结构、两源极/漏极、电解质层与埋入式导电层。栅极结构包括栅极介电层与栅极,位在基板上方。两源极/漏极,彼此分离,位于栅极结构两侧的基板上方。电解质层,位于两源极/漏极之间并与其接触,并且位于栅极结构与基板之间并与其接触。埋入式导电层,位于电解质层与基板之间。两源极/漏极之间的电解质层具有沟道,通过电解质层氧化还原反应来改变其导电性,以开启或关闭沟道。
申请公布号 CN101459195B 申请公布日期 2011.05.18
申请号 CN200810214451.X 申请日期 2008.08.26
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 林哲歆
分类号 H01L29/76(2006.01)I;H01L21/334(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I 主分类号 H01L29/76(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 封新琴
主权项 一种电解质晶体管,包括:栅极结构,其包括栅极介电层与栅极,位于基板上方;两源极/漏极,其彼此分离,位于该栅极结构两侧的该基板上方;电解质层,位于该两源极/漏极之间并与其接触,并且位于该栅极结构与该基板之间;埋入式导电层,其位于该电解质层与该基板之间,以及介电层,位于该埋入式导电层周围,且覆盖于该埋入式导电层上并且具有开口,暴露部分埋入式导电层,并隔绝该埋入式导电层与两源极/漏极;其中,该电解质层形成在介电层的开口上并与埋入式导电层电性连接,该两源极/漏极之间的该电解质层包括沟道,通过该电解质层的氧化还原反应来改变其导电性,以开启或关闭该沟道。
地址 中国台湾新竹县