具有鳍结构沟道的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有鳍结构沟道的半导体器件及其制造方法。在所述方法中，在半导体衬底上形成限定有源区的器件隔离层。在有源区中形成具有第一宽度的凹陷沟槽，并且在器件隔离层中形成具有大于所述第一宽度的第二宽度的沟槽。用覆盖层填充形成在器件隔离层中的沟槽。对凹陷沟槽实施清洗工艺以形成包括突出部和侧壁的鳍结构的底部突出部。形成填充凹陷沟槽的栅极堆叠体。在栅极堆叠体之间形成被填充沟槽的覆盖层所分隔的着陆塞。

主权项

一种制造具有鳍结构沟道的半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成限定有源区的器件隔离层；在所述有源区中形成具有第一宽度的凹陷沟槽，并且在所述器件隔离层中形成具有第二宽度的沟槽，所述第二宽度大于所述第一宽度，其中所述沟槽形成得比所述凹陷沟槽深；用覆盖层填充形成在所述器件隔离层中的所述沟槽；清洗所述凹陷沟槽以形成包括突出部和侧壁的鳍结构的底部突出部；形成填充所述凹陷沟槽的栅极堆叠体；和在所述栅极堆叠体之间形成着陆塞，所述着陆塞被填充所述沟槽的所述覆盖层所分开。