| 发明名称 | 具有高开关速度的三端功率器件以及制造工艺 | ||
| 摘要 | 这里说明的是功率器件(10)，其具有第一电流导通端(A)、第二电流导通端(K)、使用时接收功率器件(10)的控制电压(VGATE)的控制端(G)，以及在第一和第二电流导通端之间串联的晶闸管器件(12)和第一绝缘栅开关器件(14)；第一绝缘栅开关器件(14)具有连接到控制端(G)的栅极端，并且晶闸管器件(12)具有基极端(16)。功率器件(10)还被提供有：连接在第一电流导通端(A)与晶闸管器件(12)的基极端(16)之间并且具有连接到控制端(G)的相应栅极端的第二绝缘栅开关器件(18)；以及连接在晶闸管器件(12)的基极端(16)与第二电流导通端(K)之间的齐纳二极管(19)，以便能够在给定的工作状态下从基极端(16)取出电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101484996B | 申请公布日期 | 2011.05.18 |
| 申请号 | CN200680055339.5 | 申请日期 | 2006.05.18 |
| 申请人 | 意法半导体股份有限公司 | 发明人 | C·龙斯瓦尔勒;V·伊尼 |
| 分类号 | H01L29/745(2006.01)I;H01L29/749(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/745(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 柯广华;王丹昕 |
| 主权项 | 一种功率器件(10)，包括：第一电流导通端(A)；第二电流导通端(K)；控制端(G)，其配置成用于接收所述功率器件(10)的控制电压(VGATE)；以及在所述第一电流导通端(A)和所述第二电流导通端(K)之间串联的晶闸管器件(12)和第一绝缘栅开关器件(14)，所述第一绝缘栅开关器件(14)具有连接到所述控制端(G)的栅极端，以及所述晶闸管器件(12)具有基极端(16)，其特征在于，包括：连接在所述第一电流导通端(A)与所述晶闸管器件(12)的所述基极端(16)之间，并且具有连接到所述控制端(G)的相应栅极端的第二绝缘栅开关器件(18)，其中所述第一绝缘栅开关器件是MOSFET(14)，以及所述第二绝缘栅开关器件是IGBT(18)，并且其中所述MOSFET(14)的漏极端连接到所述晶闸管器件(12)并且其源极端连接到所述第二电流导通端(K)，以及所述IGBT(18)的集电极端连接到所述第一电流导通端(A)并且其发射极端连接到所述晶闸管器件(12)的所述基极端(16)，所述MOSFET(14)和所述IGBT(18)具有相同导电类型的相应沟道。 | ||
| 地址 | 意大利布里安扎 | ||