| 发明名称 |
Semiconductor component structure with vertical dielectric layers |
| 摘要 |
A method for producing a semiconductor structure and a semiconductor component are described.
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| 申请公布号 |
US7943449(B2) |
申请公布日期 |
2011.05.17 |
| 申请号 |
US20080241828 |
申请日期 |
2008.09.30 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG |
发明人 |
MAUDER ANTON;SEDLMAIER STEFAN;ERICHSEN RALF;WEBER HANS;HAEBERLEN OLIVER;HIRLER FRANZ |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8234 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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