| 发明名称 |
Halbleitervorrichtungen und -verfahren |
| 摘要 |
<p>Hier werden eine Vorrichtung eines lateral diffundierten Metalloxid-Halbleiters (LDMOS) (100) sowie Vorrichtungen, Verfahren und Techniken, die mit Grabenisolation in Zusammenhang stehen, offenbart.</p> |
| 申请公布号 |
DE102010037889(A1) |
申请公布日期 |
2011.05.12 |
| 申请号 |
DE20101037889 |
申请日期 |
2010.09.30 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
CALABRESE, GIOVANNI;HODEL, UWE;MOLZER, WOLFGANG;SIPRAK, DOMAGOJ |
| 分类号 |
H01L21/762;H01L21/265;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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