Transistor mit Metallgateelektrodenstrukturen mit großemε, die vor Drain/Source-Gebieten auf der Grundlage eines Opferkohlenstoffabstandshalters hergestellt werden

摘要

Bei der Herstellung komplexer Metallgateelektrodenstrukturen mit großem ε in einer frühen Fertigungsphase wird die dielektrische Deckschicht der Gateelektrodenstrukturen effizient auf der Grundlage eines Kohlenstoffabstandshalterelements abgetragen, das somit die Integrität der Siliziumnitridabstandshalterstruktur bewahrt. Daraufhin wird der Opferkohlenstoffabstandshalter entfernt, ohne dass im Wesentlichen andere Bauteilbereiche, etwa Isolationsstrukturen, aktive Gebiete und dergleichen, beeinflusst werden, führt zu besseren Prozessbedingungen während der weiteren Bearbeitung des Halbleiterbauelements beigetragen wird.