Halbleitersicherungen in einem Halbleiterbauelement mit Metallgates

摘要

In einem Austauschgateverfahren wird das Halbleitermaterial der Gateelektrodenstruktur effizient während eines nasschemischen Ätzprozesses entfernt, während dieses Material in elektronischen Sicherungen im Wesentlichen beibehalten wird. Folglich können gut etablierte halbleiterbasierte elektronische Sicherungen eingesetzt werden, anstatt dass aufwendige metallbasierte Sicherungsstrukturen erforderlich sind. Die Ätzselektivität des Halbleitermaterials wird auf der Grundlage einer Ionenimplantation oder eines Elektronenbeschusses modifiziert.