| 主权项 |
一种经由气相氧化C3至C5烷类、C3至C5烯类及其混合物而制造其所对应之不饱和羧酸类之方法，该方法使用具有至少二个彼此呈串联排列之反应区，以及配置于该至少二个反应区之各区之至少一种可催化该气相氧化反应之催化剂之反应系统，其中，至少一中间流出物流离开该至少二反应区之前置者且至少部分地进给至该至少二反应区之后置者，以及其中，该至少一种催化剂包含三维撑体以及具如下实验式之混合金属氧化物：MoaVbNcXdOe(式中，N为选自由Te及Se所组成之组群中之至少一种元素；X为选自由Nb、Ta、Ti、Al、Zr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ni、Pt、B、In、As、Ge、Sn、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Hf、Pb、P、Pm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所组成之组群中之至少一种元素；以及式中，a、b、c、d及e分别为钼、钒、N、X及氧之原子比，以及当a=1时，b=0.01至1.0、c=0.01至1.0、d=0.01至1.0，以及e系取决于其它元素之氧化态)；该方法包含下列步骤：将至少一中间流出物流分离成为至少下述流：包含为不饱和羧酸之氧化产物之中间产物流，以及包含选自由未反应之C3至C5烷类、未反应之C3至C5烯类及其混合物所组成之组群之原料之中间进料流；将该中间进料流进给至该随后反应区；以及将含氧气体进给至该随后反应区。如申请专利范围第1项之方法，其中，该三维撑体包含选自由开放微孔型或封闭微孔型陶瓷泡沫体及陶瓷独块体所组成之组群之陶瓷形式。如申请专利范围第2项之方法，其中，该陶瓷形式包含至少一种选自由菫青石、铝氧、锆氧、矽氧、铝矽酸盐沸石、及磷矽酸盐沸石PSZ所组成之组群之材料。如申请专利范围第1项之方法，其中，于该至少一种催化剂中之该元素N包含Te，以及该元素X包含Nb。如申请专利范围第1项之方法，进一步包含将含氧气体进给至该至少二个反应区之第一反应区之步骤。如申请专利范围第1项之方法，其中，该C3至C5烷类、C3至C5烯类或其混合物包含丙烷、丙烯或其混合物；以及该氧化产物包含丙烯酸。如申请专利范围第1项之方法，其中，该分离步骤系经由将该至少一中间流出物流冷却，以使该氧化产物之至少一部分从该至少一中间流出物流冷凝出来而进行。如申请专利范围第1项之方法，其中，该分离步骤系使用吸收器来进行。如申请专利范围第1项之方法，其中，该至少二个反应区中之至少二区系包含于单一反应器容器内。如申请专利范围第1项之方法，进一步包含将C3至C5烷类、C3至C5烯类或其混合物以占所进给原料之总体积之7体积%至25体积%之量进给至该至少二个反应区之各区。如申请专利范围第1项之方法，其中，该至少二个反应区之各区系维持于200℃至700℃范围之温度。如申请专利范围第1项之方法，其中，于该至少二个反应区之各区中该等原料与该至少一种催化剂之接触时间系于0.1秒至10秒之范围。一种经由气相氧化C3至C5烷类、C3至C5烯类及其混合物而制造其所对应之不饱和腈类之方法，该方法使用具有至少二个彼此呈串联排列之反应区，以及配置于该至少二个反应区之各区之至少一种可催化该气相氧化反应之催化剂之反应系统，其中，至少一中间流出物流离开该至少二反应区之前置者且至少部分地进给至该至少二反应区之后置者，以及其中，该至少一种催化剂包含三维撑体以及具如下实验式之混合金属氧化物：MoaVbNcXdOe(式中，N为选自由Te及Se所组成之组群中之至少一种元素；X为选自由Nb、Ta、Ti、Al、Zr、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ni、Pt、B、In、As、Ge、Sn、Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Hf、Pb、P、Pm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所组成之组群中之至少一种元素；以及式中，a、b、c、d及e分别为钼、钒、N、X及氧之原子比，以及当a=1时，b=0.01至1.0、c=0.01至1.0、d=0.01至1.0，以及e系取决于其它元素之氧化态)；该方法包含下列步骤：将至少一中间流出物流分离成为至少下述流：包含为不饱和腈之氧化产物之中间产物流，以及包含选自由未反应之C3至C5烷类、未反应之C3至C5烯类及其混合物所组成之组群之原料之中间进料流；将该中间进料流进给至该随后反应区；以及将含氧气体进给至该随后反应区；且该方法进一步包含将含氨气体进给至该至少二个反应区中之各区之步骤。如申请专利范围第13项之方法，其中，该C3至C5烷类、C3至C5烯类或其混合物包含丙烷、丙烯或其混合物；以及该至少一种氧化产物包含丙烯腈。如申请专利范围第13项之方法，其中，该至少二个反应区之各区系维持于200℃至480℃范围之温度。 |
