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一种环酮肟之安定方法，包括使环酮肟与选自硼或磷之含氧酸类、含氧酸盐类、含氧酸酯类、含氧酸醯胺类、及氧化物组成之组群之至少一个化合物接触。如申请专利范围第1项之方法，其中之至少一个化合物选自硼或磷之含氧酸类、含氧酸盐类、含氧酸酯类、含氧酸醯胺类组成之组群。如申请专利范围第1项之方法，其中之至少一个化合物选自硼或磷之氧化物组成之组群。如申请专利范围第2项之方法，其中之至少一个化合物之用量系以环酮肟为基准之约0.0001至1莫耳%。如申请专利范围第3项之方法，其中至少一个化合物之含量系以环酮肟为基准之约0.0001至1莫耳%。如申请专利范围第2或3项之方法，系用于蒸发环酮肟，其中，系将余留之液态环酮肟加以接触处理者。如申请专利范围第2或3项之方法，其中该环酮肟系在熔化状态。如申请专利范围第2或3项之方法，其中该接触系在有机溶剂存在下进行。如申请专利范围第2至5项中任一项之方法，其中该接触系在重量比约30ppm或更低之过渡金属存在下进行，该过渡金属系选自铁、镍及铬所组成之组群之至少一种过渡金属。如申请专利范围第9项之方法，其中该接触系在温度50℃或更高之温度进行。如申请专利范围第10项之方法，其中该接触系在温度90℃或更高之温度进行。一种环酮肟之安定方法，其包括在50℃或更高温度下控制过渡金属在环酮肟中之浓度为重量比约30ppm或更低之步骤，该过渡金属系选自铁、镍及铬所组成之组群之至少一种过渡金属。如申请专利范围第12项之方法，其中该过渡金属的浓度系于90℃或更高之温度下控制。如申请专利范围第12项之方法，系用于蒸发环酮肟，其中，系将余留之液态环己酮肟加以接触处理者。如申请专利范围第12项之方法，其中该环酮肟系在熔化状态。如申请专利范围第12项之方法，其中该过渡金属之浓度控制系在有机溶剂存在下进行。 |
