发明名称 母基板单元之有机发光显示器及其制造方法
摘要
申请公布号 申请公布日期 2011.05.11
申请号 TW095145106 申请日期 2006.12.05
申请人 三星移动显示器股份有限公司 发明人 李浩硕;郭源奎
分类号 H01L51/50 主分类号 H01L51/50
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 一种有机发光装置,其包括:第一基板;第二基板,其大体上系与该第一基板相对;两个或多个有机发光像素阵列,它们系插置在该等第一基板与第二基板之间;两个或多个熔接封条,它们系插置在该等第一基板与第二基板之间,该等熔接封条中的第一熔接封条会包围该等阵列中的第一阵列,该等熔接封条中的第二熔接封条会包围该等阵列中的第二阵列,该第一熔接封条包括第一延长线段,该第二熔接封条包括第二延长线段,其中,该等第一延长线段与第二延长线段于延伸时在两者之间会有间隙;以及两个或多个强化部件,它们系被插置在第一基板与第二基板之间并且被黏结至第一基板与第二基板,该等两个或多个强化部件包括第一强化部件与第二强化部件,其中,该第一强化部件实质上系平行于该第一延长线段来延伸,且其中,该第二强化部件实质上系平行于该第二延长线段来延伸,其中,该等第一基板与第二基板中至少一者会在其一内表面上包括分割沟槽,该分割沟槽系沿着该等第一延长线段与第二延长线段之间的间隙来设置。如申请专利范围第1项之装置,其中,该第二基板包括实质透明的材料,以便使由该等有机发光像素所发出的可见光通过,且其中,该第二基板包括该分割沟槽。如申请专利范围第2项之装置,其中,该第二基板包括外表面与内表面,且其中,该第二基板会在该等外表面与内表面中至少一者之上包括该分割沟槽。如申请专利范围第2项之装置,其中,该第一基板包括外表面与内表面,且其中,该第一基板在该等外表面与内表面中其中一者之上包括该分割沟槽。如申请专利范围第1项之装置,其中,该分割沟槽的深度为含有该分割沟槽之基板之厚度的约30%至约50%。如申请专利范围第1项之装置,其中,该分割沟槽的宽度介于约50μm与约100μm之间。如申请专利范围第1项之装置,其中,该等第一延长线段与第二延长线段实质上系彼此平行来延伸。如申请专利范围第1项之装置,其中,该第一强化部件系被设置在该第一延长线段与该第二延长线段之间,而该分割沟槽则系被设置在第一强化部件与第二延长线段之间。如申请专利范围第8项之装置,其中,该第二强化部件系被设置在该第一强化部件与该第二延长线段之间,而该分割沟槽则系被设置在该第一强化部件与该第二强化部件之间。如申请专利范围第1项之装置,其中,该等强化部件包括下列一或多者:氰基丙烯酸酯、丙烯酸酯、环氧树脂、以及丙烯酸氨基甲酸乙酯树脂。如申请专利范围第1项之装置,其中,该第一延长线段系被设置在该第一强化部件与该第二延长线段之间,且其中,该分割沟槽系被设置在该第一延长线段与该第二延长线段之间。如申请专利范围第1项之装置,其中,该等两个或多个熔接封条包括下列一或多种材料:氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钾(K2O)、氧化硼(B2O3)、氧化钒(V2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化碲(TeO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化矽(SiO2)、氧化铅(PbO)、氧化锡(SnO)、氧化磷(P2O5)、氧化钌(Ru2O)、氧化铷(Rb2O)、氧化铑(Rh2O)、氧化铁(Fe2O3)、氧化铜(CuO)、氧化钛(TiO2)、氧化钨(WO3)、氧化铋(Bi2O3)、氧化锑(Sb2O3)、硼酸铅玻璃、磷酸锡玻璃、钒酸盐玻璃、以及硼矽酸盐。一种有机发光装置,其包括:第一基板;第二基板,其大体上系与该第一基板相对,该第二基板具有外表面、内表面、以及用以互连该等外表面与内表面的复数个侧边;有机发光像素阵列,其系插置在第一基板与第二基板之间;熔接封条,其系插置在该等第一基板与第二基板之间,该熔接封条会包围该阵列;其中,该等侧边中至少一者包括两个平坦表面,其包括第一表面以及藉由梯阶或倾斜表面而连接至该第一表面的第二表面,其中,该等第一表面与第二表面实质上系彼此平行来延伸,其中,该第一表面会连接至第二基板的内表面,且其中,该第二表面会连接至该第二基板的外表面。如申请专利范围第13项之装置,其中,该第一表面在以最短距离互连该第二基板之外表面与内表面的方向中会延伸出宽度,且该宽度系介于该第二基板于该方向中之厚度的约30%至约50%之间。一种制造有机发光显示器的方法。该方法包括:提供装置,其包括:第一基板,第二基板,其大体上系与该第一基板相对,两个或多个有机发光像素阵列,它们系插置在第一基板与第二基板之间,两个或多个熔接封条,它们系插置在第一基板与第二基板之间,该等熔接封条中的第一熔接封条会包围该等阵列中的第一阵列,该等熔接封条中的第二熔接封条会包围该等阵列中的第二阵列,该第一熔接封条包括第一延长线段,该第二熔接封条包括第二延长线段,其中,该等第一延长线段与第二延长线段于延伸时在两者之间会有间隙,其中,该等第一基板与第二基板中至少一者会在其一内表面上包括分割沟槽,该分割沟槽系沿着第一延长线段与第二延长线段之间的间隙设置;和两个或多个强化部件,它们系插置在第一基板与第二基板之间并且被黏结至第一基板与第二基板,该等两个或多个强化部件包括第一强化部件与第二强化部件,其中,该第一延长线段与该第一强化部件实质上系平行延伸,且其中,该第二延长线段与该第二强化部件实质上系平行延伸;以及沿着该分割沟槽将该装置裁切成两个器件。如申请专利范围第15项之方法,其进一步包括沿着该第一熔接封条裁切该装置,以便提供第一有机发光装置,其包括:该第一基板的裁切部份;该第二基板的裁切部份;插置在该等第一基板的裁切部份与第二基板的裁切部份之间的第一熔接封条;被该熔接封条包围的第一阵列。如申请专利范围第15项之方法,其中,该第二基板包括外表面与内表面,且其中,该第二基板还在外表面与内表面中至少一者之上包括分割沟槽。如申请专利范围第15项之方法,其中,该分割沟槽的深度为会形成该分割沟槽的基板之厚度的约30%至约50%。如申请专利范围第15项之方法,其中,该分割沟槽的宽度介于约50μm与约100μm之间。如申请专利范围第15项之方法,其中,提供该装置包括:提供该第一基板以及形成在该第一基板上方的该等两个或多个阵列;于该第一基板上方提供第二基板,该第二基板包括分割沟槽;于该等第一基板与第二基板之间形成第一熔接封条与第二熔接封条,俾使该第一熔接封条的第一延长线段系设置在该分割沟槽的其中一侧之上,而该第二熔接封条的第二延长线段则系被设置在该分割沟槽的另一侧之上。如申请专利范围第20项之方法,其中,提供第二基板包括于该第二基板的表面之上形成分割沟槽。如申请专利范围第15项之方法,其中,该第一强化部件与该第二强化部件系设置在该第一熔接封条的第一延长线段与该第二熔接封条的第二延长线段之间,且其中,该分割沟槽系被设置在第一强化部件与第二强化部件之间。如申请专利范围第15项之方法,其中,该等强化部件包括下列一或多者:氰基丙烯酸酯、丙烯酸酯、环氧树脂、以及丙烯酸氨基甲酸乙酯树脂。如申请专利范围第23项之方法,其中,提供该装置进一步包括固化该等强化部件。
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