将常态单相硫属化合物材料规划作为记忆体之技术

主权项

一种用于规划记忆体之方法，包含以下步骤：规划一记忆体元件以具有至少两个有不同定限电压的不同状态，该记忆体元件包括一在暴露到200℃达30分钟或不到30分钟时不会变化到一一般晶相的一般非晶质硫属化合物层。如申请专利范围第1项所述之方法，包括使用一双向定限开关作为该记忆体中的一记忆体单元。如申请专利范围第1项所述之方法，包括提供一具有两被规划到相反状态的记忆体元件的单元。如申请专利范围第1项所述之方法，包括较另一状态，提供一较高量值脉冲来规划一状态。如申请专利范围第1项所述之方法，包括提供一具有一第一下降时间的第一脉冲以规划一第一状态以及一具有一不同于该第一下降时间的第二下降时间的第二脉冲以规划一第二状态。如申请专利范围第1项所述之方法，包括藉由施加介于该等状态之该等定限电压之间的一参考电压来读取一记忆体单元之状态。如申请专利范围第1项所述之方法，包括使用一参考位准来决定一单元之状态。如申请专利范围第1项所述之方法，包括使用一非干扰脉冲来使该定限电压返回到其初始状态。如申请专利范围第1项所述之方法，包括以一大于第一及第二状态中位元之定限电压的差值但小于该第二状态中一位元之该定限电压的电压来对一记忆体元件阵列之未选择的单元施加偏压。一种记忆体，包含：至少两单元；一被耦接在该等单元之间的位址线；一被耦接到该等单元的规划电路；一被耦接到该等单元的读取电路；以及其中该等单元具有至少两可检测的状态，该等状态具有有相同相的不同定限电压，该等单元包括一个在暴露到200℃达30分钟或不到30分钟时不变化到一一般晶相的一般非晶质硫属化合物材料。如申请专利范围第10项所述之记忆体，其中该读取电路施加一介于该等状态之该等定限电压之间的电压。如申请专利范围第10项所述之记忆体，其中该规划电路施加不同振幅的脉冲以规划该等不同状态。如申请专利范围第10项所述之记忆体，其中该规划电路对不同状态施加具有不同下降时间的脉冲。如申请专利范围第10项所述之记忆体，其中每一单元包括不同状态中的两记忆体元件。如申请专利范围第10项所述之记忆体，其中该硫属化合物材料不改变相。如申请专利范围第10项所述之记忆体，其中该硫属化合物包括0到30%的锗、0到60%的碲、11到40%的砷、0到42%的硒及5到15%的锑。如申请专利范围第10项所述之记忆体，包括用于该等单元的一共同的硫属化合物材料。如申请专利范围第10项所述之记忆体，包括用于每一单元的一分离的硫属化合物材料。一种电脑系统，包含：一处理器；以及一硫属化合物记忆体，包括至少两单元、一被耦接在该等单元之间的位址线、一被耦接到该等单元的规划电路、一被耦接到该等单元的读取电路，其中单元具有至少两可检测的状态，该等状态具有有一般相同相的不同定限电压，该等单元包括一个在暴露到200℃达30分钟或不到30分钟时不变化到一一般晶相的一般非晶质硫属化合物材料。如申请专利范围第19项所述之系统，其中该读取电路施加一介于该等状态之该等定限电压之间的电压。如申请专利范围第19项所述之系统，其中该规划电路施加不同振幅的脉冲以规划该等不同状态。如申请专利范围第19项所述之系统，其中该规划电路对不同状态施加具有不同下降时间的脉冲。如申请专利范围第19项所述之系统，其中每一单元包括不同状态中的两记忆体元件。如申请专利范围第19项所述之系统，其中该硫属化合物材料不改变相。如申请专利范围第19项所述之系统，其中该硫属化合物记忆体包括一具有列及行的阵列，该位址线是该等列及行中之一者。一种记忆体，包含：第一及第二导体；以及该等导体之间的一一般非晶质硫属化合物材料，其在暴露到200℃达30分钟或不到30分钟时不变化到一一般晶相，该等硫属化合物包括少于大约30%的锗、少于大约60%的碲、大约10%到大约40%的砷、少于大约40%的硒以及大约5%到大约15%的锑。如申请专利范围第26项所述之记忆体，其中该硫属化合物包括大约35%的碲、30%的砷以及5%的锗。如申请专利范围第26项所述之记忆体，其中该硫属化合物包括大约40%的碲、35%的砷以及10%的锗。如申请专利范围第26项所述之记忆体，其中该硫属化合物包括大约20%的碲、50%的硒、10%的砷以及2%的锑。如申请专利范围第26项所述之记忆体，其中该硫属化合物包括大约45%的碲、30%的砷以及25%的锗。如申请专利范围第26项所述之记忆体，其中该硫属化合物包括大约40%的硒、30%的砷以及30%的锗。如申请专利范围第26项所述之记忆体，其中该硫属化合物包括大约30%的碲、15%的硒、30%的砷以及25%的锗。一种记忆体，其包含：一硫属化合物，其系一般非晶质硫属化合物材料，该硫属化合物材料在暴露到200℃达30分钟或不到30分钟时不变化到一一般晶相；以及由该硫属化合物选择性地连接之一可规划互连线阵列。一种形成记忆体之方法，其包含下列步骤：形成一可规划互连线之一阵列；以及由一硫属化合物选择性地连接该线，该硫属化合物为一般非晶质硫属化合物层，其在暴露到200℃达30分钟或不到30分钟时不变化到一一般晶相。