| 发明名称 | 栅极介质层及栅极的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极介质层的制造方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底表面进行氮化处理；对经过所述氮化处理的半导体衬底表面执行氧化工艺，形成含氧的介质层。本发明还提供一种栅极的制造方法。通过本发明方法形成的栅极介质层具有较薄的厚度和较好的厚度均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN101290886B | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200710039808.0 | 申请日期 | 2007.04.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 虞肖鹏 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李文红 |
| 主权项 | 一种栅极介质层的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行去耦等离子体氮化处理，使含氮基或氮基植入半导体衬底表面形成缓冲层以减缓后续氧化工艺的氧化速率；所述去耦等离子体氮化的射频源的功率为0至2000W，工艺腔的压力为5至200mTorr，N2流量为100sccm至1slm，氮化时间为1至120s；对经过所述去耦等离子体氮化处理的半导体衬底执行氧化工艺，形成含氧的介质层；对所述含氧的介质层进行氮化和氮化后退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||