| 发明名称 | 磁性存储器的写入方法 | ||
| 摘要 | 一种磁性存储器的写入方法。磁性存储器包括第一磁性固定层、第二磁性固定层及磁性自由层。第一磁性固定层固定于第一磁性方向，第二磁性固定层固定于第二磁性方向。磁性自由层可磁化为第一磁性方向或第二磁性方向。写入方法包括：(a)施加外加磁场于磁性自由层；以及(b)提供第一电子流通过磁性自由层，以磁化磁性自由层为第一磁性方向或该第二磁性方向。 | ||
| 申请公布号 | CN101290796B | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200710197175.6 | 申请日期 | 2007.12.10 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 何家骅 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种磁性存储器的写入方法，该磁性存储器包括第一磁性固定层、第二磁性固定层及磁性自由层，该第一磁性固定层固定于第一磁性方向，该第二磁性固定层固定于第二磁性方向，该磁性自由层可磁化为该第一磁性方向或该第二磁性方向，该写入方法包括：(a)施加外加磁场于该磁性自由层；以及(b)提供第一电子流通过该磁性自由层，以磁化该磁性自由层为该第一磁性方向或该第二磁性方向，其中该步骤(a)执行的时间及该步骤(b)执行的时间至少部分重叠。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||