半导体器件

摘要

在硅衬底1的p阱2a的表面上形成包括栅电极4a的驱动晶体管T3。为了覆盖该驱动晶体管T3，形成氧化硅膜7和氮化硅膜8。在该氮化硅膜8上形成层间绝缘膜11。至少按与栅电极4a平面重叠那样来配置接触孔12c。由此，可以获得进行期望动作并且可缩小存储器单元区域的半导体器件。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具备：第一导电型区域(2a)，形成在半导体衬底(1)的主表面；元件形成区域(20a)，在所述半导体衬底(1)的主表面被元件隔离膜(3)分隔，且形成在所述第一导电型区域的表面；预定的半导体元件(T3)，形成在所述元件形成区域；层间绝缘膜(11)，形成在所述半导体衬底上以便覆盖所述半导体元件；以及第一接触孔(12c)，形成在所述层间绝缘膜上且露出所述元件形成区域的表面，所述半导体元件具有：栅电极部分(4a)，以横过所述元件形成区域的方式形成；第二导电型的一对第一杂质区域(9a、9b)，夹置所述栅电极部分形成在所述栅电极部分的一侧和另一侧，并且具有第一杂质浓度；以及第二导电型的第二杂质区域(10b)，以包含所述第一接触孔的接触部分的方式形成在所述第一杂质区域，并且具有比所述第一杂质浓度高的第二杂质浓度，在所述层间绝缘膜和所述半导体元件之间，形成与所述层间绝缘膜蚀刻特性不同的蚀刻阻止膜(7、8)，以便与所述栅电极部分的两侧面直接连接来覆盖所述栅电极部分，所述第一接触孔的开口端的位置以与所述栅电极部分平面重叠的方式配置，还具有：静态存储器单元，该静态存储器单元包括：栅极和漏极交叉连接的一对驱动晶体管(T3、T4)；源极与所述驱动晶体管各自的漏极连接的一对存取晶体管(T1、T2)；以及漏极与所述驱动晶体管各自的漏极连接，且栅极与所述驱动晶体管各自的栅极连接的一对负载晶体管(T5、T6)，所述一对驱动晶体管中的一个是所述半导体元件，还具备：埋入到所述第一接触孔中的导电体部分(14e)；以及形成在所述层间绝缘膜上并且与所述导电体部分电连接的布线层(14e)，所述布线层覆盖所述导电体部分的上表面的一部分，未被所述布线层覆盖的所述导电体部分的上表面处于比所述层间绝缘膜的上表面还低的位置(16b)。