| 发明名称 | 双镶嵌结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种双镶嵌结构的制作方法，包括：提供带有金属布线层的半导体衬底，在金属布线层上形成介电层；在介电层上依次形成覆盖层、层间绝缘层；刻蚀层间绝缘层至露出覆盖层，形成接触孔；在接触孔内形成底部抗反射层；刻蚀底部抗反射层，使接触孔内的底部抗反射层的厚度能在后续刻蚀过程中保护金属布线层；刻蚀层间绝缘层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对应并连通；去除接触孔内的底部抗反射层后，刻蚀覆盖层和介电层至露出金属布线层，形成双镶嵌结构。本发明还提供一种双镶嵌结构。本发明提高了金属布线层的电性能及半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101625993B | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200810040373.6 | 申请日期 | 2008.07.08 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周鸣;尹晓明 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，包括下列步骤：提供带有金属布线层的半导体衬底，在金属布线层上形成介电层；在介电层上依次形成覆盖层、层间绝缘层；刻蚀层间绝缘层至露出覆盖层，形成接触孔；在接触孔内形成底部抗反射层；刻蚀底部抗反射层，使接触孔内的底部抗反射层的厚度能在后续刻蚀过程中保护金属布线层；刻蚀层间绝缘层，形成沟槽，所述沟槽的位置与接触孔的位置对应并连通；去除接触孔内的底部抗反射层后，用干法刻蚀法去除覆盖层；用湿法刻蚀法去除残留覆盖层和介电层至露出金属布线层，形成双镶嵌结构。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江路18号 | ||