| 发明名称 | LDMOS及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LDMOS，在传统LDMOS结构的基础上增加：阱(12)中靠近沟槽(13)的侧壁和底部处具有轻掺杂区(30)，轻掺杂区(30)与阱(12)的掺杂类型相同且轻掺杂区(30)的掺杂浓度更小。本发明还公开了所述LDMOS的制造方法。传统LDMOS的漂移区为阱(12)，本发明LDMOS的漂移区为阱(12)和轻掺杂区(30)。这样本发明LDMOS便可降低沟道在垂直和水平方向上的电场，从而减小了漂移区的电子碰撞强度，使热载流子注入效应得到抑制，提高了LDMOS器件的安全工作区和可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102054864A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910201753.8 | 申请日期 | 2009.11.05 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 张帅;戚丽娜;吕赵鸿 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 周赤 |
| 主权项 | 一种LDMOS，自下而上分别包括衬底(10)、外延层(11)和阱(12)，外延层(11)与衬底(10)的掺杂类型相同，阱(12)与外延层(11)的掺杂类型相反；阱(12)中具有沟槽(13)、阱(16)和重掺杂漏区(22)，阱(16)和重掺杂漏区(22)分别在沟槽(13)的两侧且均不与沟槽(13)相重合；沟槽(13)的侧壁和底部具有衬垫氧化层(14)，沟槽(13)内填充有浅槽隔离结构(15)；阱(16)与阱(12)的掺杂类型相反，阱(16)的深度小于阱(12)的深度，阱(16)内具有重掺杂源区(21)和轻掺杂区(19)，重掺杂源区(21)与阱(16)的掺杂类型相反，重掺杂源区(21)和轻掺杂区(19)的掺杂类型相同且重掺杂源区(21)的掺杂浓度更大；重掺杂漏区(22)与阱(12)的掺杂类型相同且但重掺杂漏区(22)的掺杂浓度更大；阱(12)之上分别是栅氧化层(17)和多晶硅栅极(18)，多晶硅栅极(18)的一侧在浅槽隔离结构(15)的上方，另一侧在阱(16)的上方；多晶硅栅极(18)的两侧具有侧墙(20a)，多晶硅栅极(18)的上方具有介质(20b)；其特征是：所述阱(12)中靠近沟槽(13)的侧壁和底部处具有轻掺杂区(30)，轻掺杂区(30)与阱(12)的掺杂类型相同且轻掺杂区(30)的掺杂浓度更小。 | ||
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