| 发明名称 | 垂直式闪存结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种垂直式闪存结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成源区；在所述源区水平表面上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述源区；在所述第一介质层中形成开口，所述开口露出所述源区的一部分；在所述开口中形成硅材料层，作为有源区；以垂直方向去除所述第一介质层的一部分，暴露出所述有源区的竖直表面；在所述有源区的竖直表面上沿水平方向依次形成浮栅介质层、浮栅、控制栅介质层和控制栅；在所述有源区的水平表面上形成漏区。本发明降低了沟道导通电阻，提高了器件性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102054781A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910198589.X | 申请日期 | 2009.11.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种垂直式闪存的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底上形成源区；在所述源区水平表面上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述源区；在所述第一介质层中形成开口，所述开口露出所述源区的一部分；在所述开口中形成硅材料层，作为有源区；去除所述第一介质层的一部分，暴露出所述有源区的竖直表面；在所述有源区的竖直表面上沿水平方向依次形成浮栅介质层、浮栅、控制栅介质层和控制栅；在所述有源区的水平表面上形成漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||