提高半导体元器件的性能的方法

摘要

本发明公开了一种提高半导体元器件的性能的方法，该方法包括：在衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅层；对所述栅氧化层和多晶硅层进行刻蚀，形成栅极；在所述栅极的两侧形成第一侧墙；进行浅离子注入工艺，以形成浅掺杂源漏区；在上述第一侧墙的外侧形成第二侧墙；进行预非晶化注入工艺；进行深源/漏区离子注入工艺；在所形成的栅、源和漏区上依次形成缓冲氧化层和高应力氮化物层；进行快速热退火工艺；去除上述的高应力氮化物层和缓冲氧化层。通过使用本发明所提供的方法，可提高电子迁移率，从而有效地改善半导体元器件的电学性能。

主权项

一种提高半导体元器件的性能的方法，其特征在于，该方法包括：在衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅层；对所述栅氧化层和多晶硅层进行刻蚀，形成栅极；在所述栅极的两侧形成第一侧墙；进行浅离子注入工艺，以形成浅掺杂源漏区；在上述第一侧墙的外侧形成第二侧墙；进行预非晶化注入工艺；进行深源/漏区离子注入工艺；在所形成的栅、源和漏区上依次形成缓冲氧化层和高应力氮化物层；进行快速热退火工艺；去除上述的高应力氮化物层和缓冲氧化层。