| 发明名称 | 铜互连结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种铜互连结构的形成方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有介质层，所述介质层内形成有开口；在所述介质层表面和开口内依次形成阻挡层和金属铜层；对所述金属铜层进行第一步退火；对所述经过第一步退火的金属铜层进行平整化，至露出所述阻挡层；对所述平整化后的金属铜层进行第二步退火；在所述第二步退火后，去除覆盖在所述介质层表面的阻挡层。本发明避免了后续工艺过程中铜互连线内部由于发生再结晶而导致的空隙缺陷的产生，提高了器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102054760A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200910198592.1 | 申请日期 | 2009.11.10 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 聂佳相 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种铜互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底表面形成有介质层，所述介质层内形成有开口；在所述介质层表面和开口内依次形成阻挡层和金属铜层；对所述金属铜层进行第一步退火；对所述经过第一步退火的金属铜层进行平整化，至露出所述阻挡层；对所述平整化的金属铜层进行第二步退火；在所述第二步退火后，去除覆盖在所述介质层表面的阻挡层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||