| 发明名称 | 镝掺杂氟化铅晶体及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种镝掺杂的氟化铅晶体，该晶体分子式为：DyxPbF2+3x，其中x为Dy3+的掺杂浓度，x＝0.1～10mol％。该晶体采用熔体法生长，该方法包括下列步骤：①选定x的取值，在晶体生长配方中初始原料为DyF3和PbF2，根据分子式DyxPbF2+3x按化学计量比称量原料，其中x＝0.1～10mol％；②按上述比例称取的原料充分混合均匀，真空烘干并压制成块，放入石墨或铂金坩埚中，采用PbF2晶体作为籽晶，生长气氛为氩气或者CF4等气体。本发明镝掺杂的氟化铅晶体具有较低的声子能量、较长的荧光寿命、较大的吸收和发射截面。该晶体有望在全固态2～5μm波段激光器中应用。 | ||
| 申请公布号 | CN102051682A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN201010530649.6 | 申请日期 | 2010.11.03 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 尹继刚;杭寅;何晓明;张连翰;赵呈春;陈光珠;胡鹏超;弓娟;李振毅 |
| 分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 一种镝掺杂氟化铅晶体，其特征在于该晶体的分子式为：DyxPbF2+3x，其中x为Dy3+的掺杂浓度，x的取值范围为0.1～10mol％。 | ||
| 地址 | 201800 上海市800-211邮政信箱 | ||