功率半导体模块和驱动功率半导体模块的方法

摘要

本发明涉及功率半导体模块和驱动功率半导体模块的方法。功率半导体模块包括壳体、至少一个陶瓷衬底、布置在壳体中的第一功率半导体芯片以及第二功率半导体芯片，第一功率半导体芯片是整流器电路的组成部分并且具有带有上部和下部芯片金属化部的第一半导体本体，第二功率半导体芯片是逆变器电路的组成部分并且具有带有上部和下部芯片金属化部的第二半导体本体。与第一功率半导体芯片的上部和/或下部芯片金属化部分别紧邻有第一连接装置。与第二功率半导体芯片的上部和/或下部芯片金属化部分别紧邻有第二连接装置。在方法中，第一功率半导体芯片在阻挡层温度小于150℃的情况下运行，第二功率半导体芯片在阻挡层温度大于150℃的情况下运行。

主权项

一种用于在变频器中采用的功率半导体模块，该变频器具有整流器电路(G)和逆变器电路(W)，该功率半导体模块包括：‑壳体(60)，‑第一功率半导体芯片(1)，所述第一功率半导体芯片(1)是整流器电路(G)的组成部分，并且所述第一功率半导体芯片(1)具有第一半导体本体(10)，所述第一半导体本体(10)具有上部芯片金属化部(11)和下部芯片金属化部(12)；‑第二功率半导体芯片(2)，所述第二功率半导体芯片(2)是逆变器电路(W)的组成部分，并且所述第二功率半导体芯片(2)具有第二半导体本体(20)，所述第二半导体本体(20)具有上部芯片金属化部(21)和下部芯片金属化部(22)；‑至少一个陶瓷衬底(3，4，5)；其中，‑所述第一功率半导体芯片(1)和所述第二功率半导体芯片(2)被布置在所述壳体(60)中；‑与所述第一功率半导体芯片(1)的上部芯片金属化部(11)和/或下部芯片金属化部(12)分别紧邻有如下第一连接装置之一：熔融焊接层(15)、铝比例为铝的重量百分比为至少99的基于铝的接合线(71)；‑与所述第二功率半导体芯片(2)的上部芯片金属化部(21)和/或下部芯片金属化部(22)分别紧邻有如下第二连接装置之一：扩散焊接层(16)、含银的烧结层、粘合层、铜比例为铜的重量百分比为至少99的基于铜的接合线(72)。