发明名称 包括响应电源故障信号而刷新写入数据的电源故障电路的非易失性半导体存储器
摘要 本发明涉及包括响应电源故障信号而刷新写入数据的电源故障电路的非易失性半导体存储器。公开一种非易失性半导体存储器,其包括第一存储器件,该第一存储器件具有包括多个存储段的存储器阵列和数据寄存器,所述数据寄存器用于在数据被写入其中一个存储段之前存储写入数据。存储器控制器包括执行从主机接收的存取命令的微处理器。接口电路生成控制信号,该控制信号使得微处理器能够与第一存储器件通信。电源故障电路响应电源故障信号,通过接口电路传输刷新命令到第一存储器件,其中第一存储器件通过将存储在数据寄存器中的写入数据转移到存储段来响应所述刷新命令。
申请公布号 CN102054534A 申请公布日期 2011.05.11
申请号 CN201010533794.X 申请日期 2010.10.29
申请人 西部数据技术公司 发明人 A·C·坎恩
分类号 G11C16/06(2006.01)I 主分类号 G11C16/06(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 赵蓉民
主权项 一种非易失性半导体存储器,其包括:第一存储器件,其包括存储器阵列和数据寄存器,该存储器阵列包括多个存储段,所述数据寄存器在写入数据被写入所述存储段中的一个之前存储所述写入数据;存储器控制器,其包括执行从主机接收的存取命令的微处理器;接口电路,其可操作用于生成控制信号,该控制信号使得所述微处理器能够与所述第一存储器件通信;以及电源故障电路,其可操作用于响应电源故障信号,通过所述接口电路传输刷新命令到所述第一存储器件,其中所述第一存储器件通过转移存储在所述数据寄存器中的所述写入数据到所述存储段,响应所述刷新命令。
地址 美国加利福尼亚州