| 发明名称 | 半导体光调制器 | ||
| 摘要 | 根据本发明，能够提供一种耐压高、制作容易的npin型光调制器。根据本发明的一实施例的半导体光调制器(10)是一种在衬底侧配置阴极层(12-1)、顺序层叠的npin型的半导体光调制器，其特征在于，该npin型半导体光调制器至少包括：第一n型覆层(13-1)、p型覆层(14)、芯层(17)、及第二n型覆层(13-2)，其中p型覆层(14)与阴极层的电极(18-1)电连接。由此，伴随npin型光调制器中的光吸收，就能使向p型覆层的空穴积累被阳极侧的电极吸收。由于此npin型半导体光调制器为台面型波导结构，所以能使用现有的半导体制造技术较容易地制作此npin型半导体光调制器。 | ||
| 申请公布号 | CN101529313B | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200780038962.4 | 申请日期 | 2007.10.24 |
| 申请人 | NTT电子股份有限公司;日本电信电话株式会社 | 发明人 | 石桥忠夫;菊池顺裕;都筑健 |
| 分类号 | G02F1/025(2006.01)I;G02F1/015(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/025(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
| 主权项 | 一种在衬底侧具有阴极层的npin型的半导体光调制器，该npin型半导体光调制器至少包括：第一n型覆层、p型覆层、芯层、及第二n型覆层，所述第一n型覆层、p型覆层、芯层、及第二n型覆层是顺序层叠的，所述半导体光调制器的特征在于，所述p型覆层与所述阴极层的电极通过p型电极电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||