半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及制造在沟底面设置了沟道截断环的台面型半导体装置的半导体装置的制造方法，不需要用于形成沟道截断环的掩膜形成工序且形成沟时不需要精密的蚀刻技术的半导体装置的制造方法。更为具体的来说，半导体装置的制造方法的特征在于依次包括：从第1主面侧形成越过pn结深度的沟18的沟形成工序、至少将n型杂质20供给于沟18的底面的杂质供给工序、通过将激光照射在沟18的底面使n型杂质20扩散到第1半导体层10的内部以形成沟道截断环22的沟道截断环形成工序和在沟18的内部形成钝化层28的钝化层形成工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征为，包括：具有第1导电型的第1半导体层和配置于前述第1半导体层的第1主面侧的与前述第1导电型相反的导电型的第2导电型的第2半导体层，准备在前述第1半导体层和前述第2半导体层的接合部形成pn结的半导体基体的半导体基体准备工序，从前述半导体基体的第1主面侧形成越过前述pn结深度的沟的沟形成工序，至少将第1导电型杂质供给于前述沟底面的杂质供给工序，通过将激光照射在前述沟底面使前述第1导电型杂质扩散到前述第1半导体层的内部以形成沟道截断环的沟道截断环形成工序，在前述沟的内部形成钝化层的钝化层形成工序，在前述沟道截断环形成工序中，作为前述沟道截断环，形成沿着前述沟延伸的2个沟道截断环。