具有正面衬底接触的绝缘体上半导体器件的制造方法

摘要

一种在半导体器件中形成衬底接触的方法，包括如下步骤：提供半导体基础衬底(2)，其具有掩埋氧化(BOX)层(4)以及在所述BOX层(4)上的一薄有源半导体层(103)，在所述有源半导体层(103)和BOX层(4)中形成沟槽(104)直至下面的半导体基础衬底(2)，以及之后在剩余的有源半导体层(103)上和沟槽(104)中沉积另一有源半导体(外延)层(6)以形成所述衬底接触。在晶片上对应划线(106)的位置处蚀刻所述沟槽(104)。

主权项

一种制造绝缘体上半导体器件的方法，所述方法包括提供半导体晶片(100)，该半导体晶片包括半导体基础衬底(2)、在半导体基础衬底上的绝缘材料层(4)以及在所述绝缘材料层(4)上的第一有源半导体层(103)，其中至少一个划线(106)设置在所述晶片(100)上，所述方法进一步包括在所述晶片的对应所述至少一个划线(106)的位置处，通过在所述第一有源半导体层(103)和所述绝缘材料层(4)中形成直至所述基础衬底(2)的开口(104)，以及接着在所述第一有源半导体层(103)以及所述绝缘层(4)上以及所述开口(104)中沉积第二有源半导体层(6)，形成衬底接触。