| 发明名称 | 一种超高方阻金属化薄膜 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种超高方阻金属化薄膜，包括聚合物基膜，和在该基膜上通过汽相沉淀法形成的由Al和/或Zn构成金属镀层，所述金属镀层区域在基膜宽度方向上包括中间加厚区以及位于加厚区两侧的方阻渐变区；基膜留边区与方阻渐变区之间设有金属镀层厚度一致且方阻大于方阻渐变区的超高方阻区。本实用新型金属化薄膜抗电强度高，自愈能力强，可以适用于制造较高额定电压的电容器；还可以降低生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN201829351U | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN201020583747.1 | 申请日期 | 2010.10.30 |
| 申请人 | 安徽铜峰电子股份有限公司 | 发明人 | 束长青;章晓红;周慧宁;石兆峰 |
| 分类号 | H01G4/015(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/015(2006.01)I |
| 代理机构 | 合肥诚兴知识产权代理有限公司 34109 | 代理人 | 汤茂盛 |
| 主权项 | 一种超高方阻金属化薄膜，包括聚合物基膜(1)，和在该基膜(1)上通过汽相沉淀法形成的由Al和/或Zn构成金属镀层，所述金属镀层区域在基膜宽度方向上包括中间加厚区(a)以及位于中间加厚区(a)两侧的方阻渐变区(b)；其特征在于：基膜留边区(d)与方阻渐变区(b)之间设有金属镀层厚度一致且方阻大于方阻渐变区(b)的超高方阻区(c)。 | ||
| 地址 | 244000 安徽省铜陵市石城路168号 | ||