| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及半导体器件。根据本实用新型的一个方面的半导体器件，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；在上述隔离层上的钝化层；与上述半导体层电气相通的源极和漏极；以及在上述隔离层上的栅极；其中，上述栅极包括下部、中部和上部，上述下部和/或上述中部构成场板结构。 | ||
| 申请公布号 | CN201829506U | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN201020253562.4 | 申请日期 | 2010.07.06 |
| 申请人 | 西安能讯微电子有限公司 | 发明人 | 范爱民 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨晓光;刘瑞东 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：在衬底上的半导体层；在上述半导体层上的隔离层；在上述隔离层上的钝化层；与上述半导体层电气相通的源极和漏极；以及在上述隔离层上的栅极；其中，上述栅极包括下部、中部和上部，上述下部和/或上述中部构成场板结构。 | ||
| 地址 | 710075 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦N701 | ||