发明名称 电子设备及其制造方法和半导体装置
摘要 本发明提供一种半导体装置,目的在于即使在分别排列于1对区域的端子的数量不同的情况下,也能使树脂突起的变形量的差较小。半导体装置具有:按照从多个第1电极(14)上到第1树脂突起(20)上为止的方式形成的多个即n1个第1布线(28);和按照从多个第2电极(16)上到第2树脂突起(22)上为止的方式形成的多个即n2(n2<n1)个第2布线(30)。第1树脂突起(20)和第2树脂突起(22)由相同的材料构成,形成为以相同的宽度沿着长边方向延伸的形状。第1布线(28)按照和第1树脂突起(20)的长轴交叉的方式延伸,在第1树脂突起(20)上有第1宽度W1。第2布线(30)按照和第2树脂突起(22)的长轴交叉的方式延伸,在第2树脂突起(22)上有第2宽度W2(W1<W2)。有W1×n1=W2×n2的关系。
申请公布号 CN102054791A 申请公布日期 2011.05.11
申请号 CN201010526282.0 申请日期 2008.07.30
申请人 精工爱普生株式会社 发明人 田中秀一;伊东春树
分类号 H01L23/00(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L23/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种半导体装置,具有:形成有集成电路的半导体基板;第1电极和第2电极,形成于所述半导体基板,并与所述集成电路电连接;第1树脂突起和第2树脂突起,配置于所述半导体基板,由相同材料构成,并形成为以相同的宽度沿着长边方向延伸的形状;n1个第1布线,按照从所述第1电极上到所述第1树脂突起上为止的方式形成,按照和所述第1树脂突起的长轴交叉的方式延伸,并在所述第1树脂突起上有第1宽度W1;和n2个第2布线,按照从所述第2电极上到所述第2树脂突起上为止的方式形成,按照和所述第2树脂突起的长轴交叉的方式延伸,并在所述第2树脂突起上有第2宽度W2,其中n2<n1,W1<W2;另外,具有W1×n1=W2×n2的关系。
地址 日本东京