| 发明名称 | 硬质被膜层及其形成方法 | ||
| 摘要 | 提供在晶体质中不具有裂纹且兼具高硬度和优异的耐磨性的硬质被膜层及其形成方法。覆盖基材(2)的晶体质的硬质被膜层(3)是利用PVD法形成的，并且，该硬质被膜层以Si和C为必要成分，以元素M[选自3A族元素、4A族元素、5A族元素、6A族元素、B、Al及Ru中的1种以上的元素]和N为选择成分，具有SixC1-x-y-zNyMz(0.4≤x≤0.6、0≤y≤0.1、0≤z≤0.2)的组成。 | ||
| 申请公布号 | CN102057073A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN200980121455.6 | 申请日期 | 2009.03.31 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所;伊斯卡有限公司 | 发明人 | 山本兼司;A·A·莱尤斯 |
| 分类号 | C23C14/06(2006.01)I;B23B27/14(2006.01)I;B23C5/16(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张宝荣 |
| 主权项 | 一种硬质被膜层，其特征在于，所述硬质被膜层是通过PVD法形成的且覆盖规定的基材，所述硬质被膜层以Si和C为必要成分，以元素M和N为选择成分，具有SixC1‑x‑y‑zNyMz的组成，其中，M为选自3A族元素、4A族元素、5A族元素、6A族元素、B、Al和Ru中的1种以上的元素，0.4≤x≤0.6、0≤y≤0.1、0≤z≤0.2，对所述硬质被膜层利用CuKα射线进行X射线衍射时在衍射角34～36°观察到的SiC峰的半幅值为3°以下。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||