发明名称 一种等离子体辅助硒硫化处理装置及工艺
摘要 一种等离子体辅助硒硫化处理装置,设置于真空室内,包括壳体、阴极板和阳极板,阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器,阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽,阳极板表面均布小孔并设有输气管、独立内加热电极和阳极测温点基于该处理装置的工艺为:1)在半导体薄膜材料上按化学式配比预制金属层,然后放入阴极板的沟槽中;2)将其置于真空室内抽真空,打开电源加热阴极板和阳极板,启动等离子体发生器电源,并通入硒或硫、氢、氩混合气体。本发明的优点:硒原子的反应活性高,金属预制层的硒化反应完全,光电转换效率高;基片的加热温度低,不易变形;采用电子方式监控两电极间容抗的变化,了解转化的进展,减少工业化生产的废品率。
申请公布号 CN102051603A 申请公布日期 2011.05.11
申请号 CN201010518539.8 申请日期 2010.10.26
申请人 南开大学 发明人 孙国忠;敖建平;李宝璋;张超;何青;周志强
分类号 C23C16/50(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 C23C16/50(2006.01)I
代理机构 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人 侯力
主权项 一种等离子体辅助硒硫化处理装置,其特征在于:设置于真空室内,包括壳体、阴极板和阳极板,壳体为长方体结构,设有两块侧板和底板,阴极板和阳极板在壳体内平行间隔交替叠放并固定在壳体的底板上,阴极板和阳极板交替叠放形成等离子体发生器,壳体的侧板即为等离子体发生器的外壳,阴极板设有固定半导体薄膜基板的沟槽,阴极板上设有均匀分布1~4个独立内加热电极和电池基片测温点,阳极板为腔体结构,阳极板表面均布小孔,孔径0.5mm~1.5mm,孔间距5mm~20mm,阳极板上设有输气管与腔体相通,阳极板上设有均匀分布1~3个独立内加热电极和阳极测温点,阴极板和阳极板分别设有极柱并与真空室外的等离子体发生电源连接,所述内加热电极、测温点和输气管分别与真空室外的加热电源、电路及气路连接,内加热电极与测温点通过自动控温系统PID形成闭环温度控制,气路上设有气体流量计。
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