形成对称的光刻胶图形的方法

摘要

本发明公开了一种形成对称的光刻胶图形的方法，包括：对半导体晶圆进行预处理并打底胶；形成光刻胶涂层；以低的第一温度烘焙光刻胶涂层第一预定时间段；以比第一温度高的第二温度烘焙光刻胶涂层第二预定时间段；对烘焙之后的光刻胶涂层进行曝光、后烘并显影，形成光刻胶图形，其中光刻胶涂层的厚度大于并且其中第二预定时间段小于第一预定时间段。低温长时间的烘焙，加长了应力释放的过程，从而释放了光刻胶涂层中的大部分应力，高温短时间的烘焙进一步去除了低温烘焙无法去除的溶剂，从而实现了应力释放和溶剂去除之间的平衡。最终得到对称的光刻胶图形，减小了由于光刻胶图形不对称而对半导体器件造成的影响。

主权项

1.一种形成对称的光刻胶图形的方法，包括：对半导体晶圆进行预处理并打底胶；形成光刻胶涂层；以低的第一温度烘焙所述光刻胶涂层第一预定时间段；以比所述第一温度高的第二温度烘焙所述光刻胶涂层第二预定时间段；对烘焙之后的光刻胶涂层进行曝光、后烘并显影，形成光刻胶图形，其中所述光刻胶涂层的厚度大于并且其中所述第二预定时间段小于所述第一预定时间段。