发明名称 | 发光器件及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种发光器件。所述发光器件包括:第一导电半导体层;在第一导电半导体层上的有源层;在有源层上的第二导电半导体层,第二导电半导体层包括第一区域和第二区域;在第二导电半导体层的第二区域上的第三导电半导体层;电连接第一导电半导体层与第二区域的第二导电半导体层的第一电极层;和电连接第二导电半导体层与第三导电半导体层的第二电极层。 | ||
申请公布号 | CN101584054B | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
申请号 | CN200880002109.1 | 申请日期 | 2008.04.01 |
申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 朴炯兆 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;吴亦华 |
主权项 | 一种发光器件,包括:包含第一类型杂质的第一导电半导体层;在所述第一导电半导体层上的有源层;在所述有源层上的包含第二类型杂质的第二导电半导体层,所述第二类型杂质与所述第一类型杂质的类型相反,所述第二导电半导体层包括第一区域和第二区域;使所述第二区域的第二导电半导体层与所述第一区域的第二导电半导体层电隔离的绝缘层;在所述第二导电半导体层的第二区域上的第三导电半导体层,所述第三导电半导体层包含与所述第一导电半导体层的杂质类型相同而与所述第二导电半导体层的杂质类型相反的杂质;电连接所述第一导电半导体层与所述第二区域的第二导电半导体层的第一电极层;和电连接所述第一区域的所述第二导电半导体层与所述第三导电半导体层的第二电极层。 | ||
地址 | 韩国首尔 |