一种氮化物发光器件及其制备方法

摘要

一种氮化物发光器件及其制备方法，涉及一种半导体发光器件。提供一种非对称耦合多量子阱结构为有源区的氮化物发光器件及其制备方法。至少包括n-型电子注入层、p-型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n-型电子注入层和p-型空穴注入层之间。有源层由非对称耦合量子阱结构组成。量子阱的垒层较薄，易实现载流子隧穿，且量子阱中基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的量子阱接近p型注入层，跃迁能量小的量子阱接近n型注入层。用此有源区结构可增强空穴在量子阱有源区中的隧穿输运，同时阻挡电子在量子阱有源区中的隧穿输运，改善氮化物发光器件有源区中载流子分布不均现象，减小电子泄露和能带填充效应，实现高效发光。

主权项

一种氮化物发光器件，其特征在于至少包括n‑型电子注入层、p‑型空穴注入层和多量子阱有源层，多量子阱有源层夹在n‑型电子注入层和p‑型空穴注入层之间；所述n‑型电子注入层为n型GaN、AlGaN、InGaN和AlInGaN四种化合物中的至少一种；所述n‑型电子注入层的禁带宽度大于量子阱有源层的禁带宽度；所述p‑型空穴注入层为p型GaN、AlGaN、InGaN和AlInGaN四种化合物中的至少一种；所述p‑型空穴注入层的禁带宽度大于量子阱有源层的禁带宽度；所述量子阱的垒为GaN、AlGaN、InGaN和AlInGaN四种化合物中的至少一种；所述阱为GaN、AlGaN、InGaN三种化合物中的至少一种，垒的禁带宽度大于阱的禁带宽度；所述多量子阱有源层由非对称耦合量子阱组成，非对称耦合量子阱包括至少两个量子阱，所述量子阱的垒层＜10nm，相邻量子阱之间存在耦合效应，阱中的电子和空穴能够隧穿通过垒层进入下一个量子阱；所述量子阱中基态能级间的跃迁能量逐渐变化，跃迁能量大的阱接近p‑型空穴注入层，跃迁能量小的阱接近n‑型电子注入层；所述多量子阱有源区为一组非对称耦合量子阱，或多组非对称耦合量子阱的组合，组与组之间用氮化物插入层进行连接。