后绕线布局的光刻热点的更正方法及系统

摘要

本发明涉及一种后绕线布局的光刻热点的更正方法与装置，是用于更正后绕线布局中检测到的光刻热点。选择该若干热点中每一个所在局部区域内的可改变尺寸或位置的至少一个二维图案并调整，而使得各局部区域的空间图像强度的仿真数值最佳化，藉以改善该若干热点中每一个所造成的问题。该二维图案的尺寸或位置经调整一改变量后，可以根据一组已提供的空间图像强度的光学仿真模型单元计算该热点所在局部区域的空间图像强度，藉由选取该仿真模型单元中数个单元以合成该改变后的二维图案。

主权项

一种后绕线布局的光刻热点的更正方法，其特征在于包含：接受一芯片的后绕线布局的光刻检查得到若干个热点的数据；针对该若干热点中每一个所在的局部区域内选取可改变几何尺寸或位置的至少一个二维图案，并定义该几何尺寸或位置的改变方式为若干个变化模式；根据该若干变化模式中每一个于允许范围内的改变量，依序自一组空间图像强度的光学仿真模型单元选取若干个模型单元以合成而得对应的空间图像强度；依照该空间图像强度的前述若干个空间图像强度值以决定该若干变化模式中每一个对应该热点的最佳变化量；以及就该若干热点中每一个所在该局部区域的该二维图案分别取得一组最佳变化模式及各该最佳变化模式的最佳变化量。