| 发明名称 | 一种三维集成结构及其生产方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种三维集成结构及其生产方法，属于微机械电子系统与集成电路加工领域。所述三维集成结构包括：由两个晶圆形成的晶圆键合对，贯穿所述晶圆键合对的至少一个TSV通孔和微铜柱，位于所述晶圆键合对的键合界面处的一个空穴，位于所述晶圆键合对的第一表面，和所述微铜柱电连接的MEMS器件，和位于所述晶圆键合对的第二表面，和所述TSV通孔电连接的芯片。本发明还公开了三维集成结构的两种生产方法。本发明可用于制造集成电路。该集成结构及其生产方法可以有效解决MEMS器件与其处理集成电路的兼容性问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102050418A | 申请公布日期 | 2011.05.11 |
| 申请号 | CN201010500612.9 | 申请日期 | 2010.09.30 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 马盛林;孙新;朱韫晖;金玉丰;缪旻 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 余长江 |
| 主权项 | 一种三维集成结构，其特征在于，所述三维集成结构包括：由两个晶圆形成的晶圆键合对，贯穿所述晶圆键合对的至少一个TSV通孔和微铜柱，位于所述晶圆键合对的键合界面处的一个空穴，位于所述晶圆键合对的第一表面，和所述微铜柱电连接的MEMS器件，和位于所述晶圆键合对的第二表面，和所述微铜柱电连接的芯片。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||