发明名称 去除铝合金中硅元素的方法
摘要 一种金属材料技术领域的去除铝合金中硅元素的方法,包括如下步骤:将铝合金浇注成自耗电极棒,将自耗电极棒放入电渣炉内,加入渣料,进行电渣重熔;熔炼完成后,切断电源,冷却,得到铝合金,所述渣料为下列组合物中的一种,所述组合物中的百分数均为重量百分数:5~30%MgF2+30~40%KCl+30~60%MgCl2,5~30%MgF2+30~40%KCl+30~60%NaCl,100%Na3AlF6,10~30%Na3AlF6+30~40%KCl+30~60%NaCl,10~30%Na3AlF6+30~40%KCl+30~60%MgCl2,5~30%CaF2+30~40%KCl+30~60%CaCl2,和5~30%CaF2+30~40%KCl+30~60%NaCl。本发明的方法简单,可有效去除铝合金中低浓度的杂质元素硅,且不会引进新的杂质。
申请公布号 CN101619403B 申请公布日期 2011.05.11
申请号 CN200910055214.8 申请日期 2009.07.23
申请人 上海交通大学 发明人 王俊;祝国梁;陈冲;疏达;孙宝德
分类号 C22C1/06(2006.01)I;C22C21/00(2006.01)I;C22B9/18(2006.01)I 主分类号 C22C1/06(2006.01)I
代理机构 上海交达专利事务所 31201 代理人 王锡麟;王桂忠
主权项 一种去除铝合金中硅元素的方法,其特征在于,步骤一,将铝合金浇注成自耗电极棒;步骤二,将自耗电极棒放入电渣炉内;步骤三,加入渣料,进行电渣重熔;步骤四,熔炼完成后,切断电源,冷却,得到铝合金;其中,所述渣料为100%Na3AlF6或下列组合物中的一种:5~30%MgF2+30~40%KCl+30~60%MgCl2,5~30%MgF2+30~40%KCl+30~60%NaCl,10~30%Na3AlF6+30~40%KCl+30~60%NaCl,10~30%Na3AlF6+30~40%KCl+30~60%MgCl2,5~30%CaF2+30~40%KCl+30~60%CaCl2,和5~30%CaF2+30~40%KCl+30~60%NaCl;所述组合物中的百分数均为重量百分数;步骤一中所述的铝合金的含硅量低于1wt%;所述加入渣料的重量为自耗电极棒重量的5~15%。
地址 200240 上海市闵行区东川路800号